规格参数
| Product Status | Obsolete |
| Type | MOSFET |
| Configuration | 3 Phase |
| Current | 2 A |
| Voltage | 500 V |
| Voltage - Isolation | - |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | 19-PowerSSIP Module, Formed Leads |
IRAM336-025SB3 英飞凌科技电源驱动模块 - 规格参数与选型指南
IRAM336-025SB3 是由 英飞凌科技 制造的 电源驱动模块 类电子元器件。IC HYBRID MULTI-CHIP 500V 2A。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、Type: MOSFET、Configuration: 3 Phase、Current: 2 A、Voltage: 500 V、Mounting Type: Through Hole。
IRAM336-025SB3 共有 7 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Package / Case（19-PowerSSIP Module, Formed Leads） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
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