S8M02600B 德利通可控硅
德利通 S8M02600B 可控硅
S8M02600B是德利通旗下的可控硅 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供S8M02600B现货库存与价格报价查询。我们可为您提供S8M02600B datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| Voltage - Off State | 600 V |
| Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max) | 1 V |
| Current - Gate Trigger (Igt) (Max) | 200 µA |
| Voltage - On State (Vtm) (Max) | 1.8 V |
| Current - On State (It (AV)) (Max) | - |
| Current - On State (It (RMS)) (Max) | 8 A |
| Current - Hold (Ih) (Max) | 6 mA |
| Current - Off State (Max) | 10 µA |
| Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm) | 80A @ 60Hz |
| SCR Type | Sensitive Gate |
| Operating Temperature | -40°C ~ 110°C (TJ) |
| Mounting Type | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 Full Pack |
| Supplier Device Package | TO-220AB |
S8M02600B 德利通可控硅 - 规格参数与选型指南
S8M02600B 是由 德利通 制造的 可控硅 类电子元器件。THYRISTOR TO220AB TUBE 50PCS。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Voltage - Off State: 600 V、Voltage - Gate Trigger (Vgt) (Max): 1 V、Current - Gate Trigger (Igt) (Max): 200 µA、Voltage - On State (Vtm) (Max): 1.8 V、Current - On State (It (RMS)) (Max): 8 A。
S8M02600B 共有 14 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Current - Hold (Ih) (Max)（6 mA）、Current - Off State (Max)（10 µA）、Current - Non Rep. Surge 50, 60Hz (Itsm)（80A @ 60Hz）、SCR Type（Sensitive Gate）、Operating Temperature（-40°C ~ 110°C (TJ)） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 德利通：**Diodes Incorporated（德利通）：赋能未来，驱动创新**
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