TF252TH-4-TL-H 安森美JFET
安森美 TF252TH-4-TL-H JFET
TF252TH-4-TL-H是安森美旗下的JFET 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供TF252TH-4-TL-H现货库存与价格报价查询。我们可为您提供TF252TH-4-TL-H datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Obsolete |
| FET Type | N-Channel |
| Voltage - Breakdown (V(BR)GSS) | - |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | - |
| Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0) | 140 µA @ 2 V |
| Current Drain (Id) - Max | 1 mA |
| Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id | 100 mV @ 1 µA |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 3.1pF @ 2V |
| Resistance - RDS(On) | - |
| Power - Max | 100 mW |
| Operating Temperature | 150°C (TJ) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 3-SMD, Flat Lead |
| Supplier Device Package | 3-VTFP |
TF252TH-4-TL-H 安森美JFET - 规格参数与选型指南
TF252TH-4-TL-H 是由 安森美 制造的 JFET 类电子元器件。JFET N-CH 1MA 3VTFP。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、FET Type: N-Channel、Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 140 µA @ 2 V、Current Drain (Id) - Max: 1 mA、Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id: 100 mV @ 1 µA、Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3.1pF @ 2V。
TF252TH-4-TL-H 共有 11 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Power - Max（100 mW）、Operating Temperature（150°C (TJ)）、Mounting Type（Surface Mount）、Package / Case（3-SMD, Flat Lead）、Supplier Device Package（3-VTFP） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 安森美：安森美（onsemi）作为全球领先的能源高效创新驱动者，致力于赋能客户实现全球能源消耗的降低。公司凭借深厚的技术积淀和前瞻性的战略布局，为全球设计工程师提供全面、领先的**电子元器件**解决方案。安森美的主营产品线涵盖了广泛的**电子元件**类别，包括但不限于高性能的能源高效电源管理**IC芯片**、信号管理**IC芯片**、逻辑器件、分立器件以及定制化解决方案。这些**元器件**是现代电子产品不可或缺的组成部分，安森美通过其丰富的产品组合，有效应对客户在各种复杂设计挑战中遇到的难题。
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