规格参数
| Product Status | Obsolete |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | SRAM |
| Technology | SRAM - Quad Port, Synchronous |
| Memory Size | 18Mbit |
| Memory Organization | 1M x 18 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 200 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | - |
| Access Time | 3.1 ns |
| Voltage - Supply | 2.375V ~ 2.625V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 165-TBGA |
| Supplier Device Package | 165-PBGA (13x15) |
艾思科 记忆 产品 IS61VPD102418A-200B3I产品描述
IS61VPD102418A-200B3I 是由 艾思科 制造的 记忆 类电子元器件。IC SRAM 18MBIT PARALLEL 165PBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Obsolete、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: SRAM、Technology: SRAM - Quad Port, Synchronous、Memory Size: 18Mbit。
IS61VPD102418A-200B3I 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（1M x 18）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（200 MHz）、Access Time（3.1 ns）、Voltage - Supply（2.375V ~ 2.625V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成电路设计、开发和市场营销领域处于领先地位的科技企业。自成立以来，艾思科始终专注于为高速增长的关键市场提供高性能的**电子元器件**。其主要产品线围绕两大核心领域：**IC芯片**领域的SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）。艾思科的SRAM产品以高速度和低功耗著称，而其DRAM产品则覆盖低密度和中等密度范围，能够满足不同客户的性能和成本需求。
IS61VPD102418A-200B3I 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 艾思科 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 IS61VPD102418A-200B3I 的最新价格和交期信息。
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