| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FRAM |
| Technology | FRAM (Ferroelectric RAM) |
| Memory Size | 512Kbit |
| Memory Organization | 64K x 8 |
| Memory Interface | SPI |
| Clock Frequency | 30 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 400µs |
| Access Time | 9 ns |
| Voltage - Supply | 1.8V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | 8-SOP |
关于 MB85RS512TPNF-G-AWE2
MB85RS512TPNF-G-AWE2 是由 富士通半导体存储器解决方案 制造的 记忆 类电子元器件。IC FRAM 512KBIT SPI 30MHZ 8SOP。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FRAM、Technology: FRAM (Ferroelectric RAM)、Memory Size: 512Kbit。
MB85RS512TPNF-G-AWE2 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（64K x 8）、Memory Interface（SPI）、Clock Frequency（30 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（400µs）、Access Time（9 ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
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新闻资讯
富士通半导体存储器解决方案 记忆 产品 MB85RS512TPNF-G-AWE2
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