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IS25WE512M-RMLE-TY

¥60.36
记忆
尼尔森

IC FLASH 512MB 1.8V SPI 16SOIC

参数名称参数值
Product StatusActive
DigiKey ProgrammableNot Verified
Memory TypeNon-Volatile
Memory FormatFLASH
TechnologyFLASH - NOR
Memory Size512Mbit
Memory Organization64M x 8
Memory InterfaceSPI - Quad I/O, QPI, DTR
Clock Frequency112 MHz
Write Cycle Time - Word, Page50µs, 1ms
Access Time-
Voltage - Supply1.7V ~ 1.95V
Operating Temperature-40°C ~ 105°C (TA)
Mounting TypeSurface Mount
Package / Case16-SOIC (0.295", 7.50mm Width)
Supplier Device Package16-SOIC

关于 IS25WE512M-RMLE-TY

IS25WE512M-RMLE-TY 是由 尼尔森 制造的 记忆 类电子元器件。IC FLASH 512MB 1.8V SPI 16SOIC。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR、Memory Size: 512Mbit。

IS25WE512M-RMLE-TY 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization(64M x 8)、Memory Interface(SPI - Quad I/O, QPI, DTR)、Clock Frequency(112 MHz)、Write Cycle Time - Word, Page(50µs, 1ms)、Voltage - Supply(1.7V ~ 1.95V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。

关于 尼尔森:**尼尔森(Nearson):无线通信领域的卓越元器件解决方案提供商**

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新闻资讯

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