
GD25Q20CEAGR 兆易创新记忆
兆易创新 记忆 产品 GD25Q20CEAGR
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如需获取GD25Q20CEAGR的最新报价或技术支持,请联系我们的销售团队:0755-83216080 或 SALES@LJQ.CC。
规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR (SLC) |
| Memory Size | 2Mbit |
| Memory Organization | 256K x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Clock Frequency | 80 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 60µs, 4ms |
| Access Time | 7 ns |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-USON (3x2) |
兆易创新 记忆 产品 GD25Q20CEAGR产品描述
GD25Q20CEAGR 是由 兆易创新 制造的 记忆 类电子元器件。LINEAR IC。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR (SLC)、Memory Size: 2Mbit、Memory Organization: 256K x 8。
GD25Q20CEAGR 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Interface(SPI - Quad I/O)、Clock Frequency(80 MHz)、Write Cycle Time - Word, Page(60µs, 4ms)、Access Time(7 ns)、Voltage - Supply(2.7V ~ 3.6V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 兆易创新:兆易创新(GigaDevice),一家诞生于2005年硅谷的领先无晶圆厂半导体公司,专注于先进存储技术和集成电路(IC)解决方案的研发与创新。自成立以来,兆易创新始终致力于推动电子元器件行业的发展,并在2016年成功于上海证券交易所上市,标志着其在中国乃至全球半导体市场的重要地位。作为一家深耕电子元件领域的企业,兆易创新提供广泛的高性能Flash存储器以及32位通用微控制器(MCU)产品。在SPI NOR Flash这一细分市场,兆易创新堪称行业先驱,凭借其卓越的技术实力和持续的创新能力,已成为全球领先者之一,每年出货量超过10亿颗,稳居全球前三。
GD25Q20CEAGR 现货供应,可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 兆易创新 产品的专业分销商,我们保证所有元器件均为100%原装正品,来源可靠可追溯。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价,获取 GD25Q20CEAGR 的最新价格和交期信息。
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