GD25LE80EEIGR 兆易创新记忆
兆易创新 记忆 产品 GD25LE80EEIGR
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | - |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR (SLC) |
| Memory Size | 8Mbit |
| Memory Organization | 1M x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O, QPI |
| Clock Frequency | 133 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 60µs, 2.4ms |
| Access Time | 6 ns |
| Voltage - Supply | 1.65V ~ 2V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-XFDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-USON (3x2) |
兆易创新 记忆 产品 GD25LE80EEIGR产品描述
GD25LE80EEIGR 是由 兆易创新 制造的 记忆 类电子元器件。LINEAR IC。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR (SLC)、Memory Size: 8Mbit、Memory Organization: 1M x 8。
GD25LE80EEIGR 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Interface（SPI - Quad I/O, QPI）、Clock Frequency（133 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（60µs, 2.4ms）、Access Time（6 ns）、Voltage - Supply（1.65V ~ 2V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。
关于 兆易创新：兆易创新（GigaDevice），一家诞生于2005年硅谷的领先无晶圆厂半导体公司，专注于先进存储技术和集成电路（IC）解决方案的研发与创新。自成立以来，兆易创新始终致力于推动电子元器件行业的发展，并在2016年成功于上海证券交易所上市，标志着其在中国乃至全球半导体市场的重要地位。作为一家深耕电子元件领域的企业，兆易创新提供广泛的高性能Flash存储器以及32位通用微控制器（MCU）产品。在SPI NOR Flash这一细分市场，兆易创新堪称行业先驱，凭借其卓越的技术实力和持续的创新能力，已成为全球领先者之一，每年出货量超过10亿颗，稳居全球前三。
GD25LE80EEIGR 现货供应，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 兆易创新 产品的专业分销商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，直接来源于制造商授权渠道。我们提供有竞争力的价格、灵活的订购数量和可靠的物流配送。立即申请报价，获取 GD25LE80EEIGR 的最新价格和交期信息。
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