规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NAND (SLC) |
| Memory Size | 4Gbit |
| Memory Organization | 512M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | - |
| Write Cycle Time - Word, Page | 25ns |
| Access Time | 25 ns |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 67-VFBGA |
| Supplier Device Package | 67-VFBGA (6.5x8) |
TC58BYG2S0HBAI6 铠侠美国公司记忆 - 规格参数与选型指南
TC58BYG2S0HBAI6 是由 铠侠美国公司 制造的 记忆 类电子元器件。IC FLASH 4GBIT PARALLEL 67VFBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NAND (SLC)、Memory Size: 4Gbit。
TC58BYG2S0HBAI6 共有 15 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（512M x 8）、Memory Interface（Parallel）、Write Cycle Time - Word, Page（25ns）、Access Time（25 ns）、Voltage - Supply（1.7V ~ 1.95V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 铠侠美国公司：**铠侠美国公司（Kioxia America, Inc.）：引领存储技术革新的全球领导者**
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