规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 32M x 16 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 167 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 700 ps |
| Voltage - Supply | 2.3V ~ 2.7V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) |
| Supplier Device Package | 66-TSOP II |
IS43R16320F-6TL 艾思科记忆 - 规格参数与选型指南
IS43R16320F-6TL 是由 艾思科 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR、Memory Size: 512Mbit。
IS43R16320F-6TL 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（32M x 16）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（167 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（15ns）、Access Time（700 ps） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成电路设计、开发和市场营销领域处于领先地位的科技企业。自成立以来，艾思科始终专注于为高速增长的关键市场提供高性能的**电子元器件**。其主要产品线围绕两大核心领域：**IC芯片**领域的SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）。艾思科的SRAM产品以高速度和低功耗著称，而其DRAM产品则覆盖低密度和中等密度范围，能够满足不同客户的性能和成本需求。
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深圳凌创辉电子有限公司是艾思科代理商，专业供应IS43R16320F-6TL等记忆 产品。如您需要IS43R16320F-6TL的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息，欢迎联系我们获取技术支持。
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