规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | DRAM |
| Technology | SDRAM - DDR2 |
| Memory Size | 1Gbit |
| Memory Organization | 128M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 400 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 15ns |
| Access Time | 400 ps |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.9V |
| Operating Temperature | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 60-TFBGA |
| Supplier Device Package | 60-TWBGA (8x10.5) |
IS43DR81280C-25DBL 艾思科记忆 - 规格参数与选型指南
IS43DR81280C-25DBL 是由 艾思科 制造的 记忆 类电子元器件。IC DRAM 1GBIT PARALLEL 60TWBGA。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: DRAM、Technology: SDRAM - DDR2、Memory Size: 1Gbit。
IS43DR81280C-25DBL 共有 16 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization(128M x 8)、Memory Interface(Parallel)、Clock Frequency(400 MHz)、Write Cycle Time - Word, Page(15ns)、Access Time(400 ps) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾思科:Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI),中文名“艾思科”,是一家在集成电路设计、开发和市场营销领域处于领先地位的科技企业。自成立以来,艾思科始终专注于为高速增长的关键市场提供高性能的**电子元器件**。其主要产品线围绕两大核心领域:**IC芯片**领域的SRAM(静态随机存取存储器)和DRAM(动态随机存取存储器)。艾思科的SRAM产品以高速度和低功耗著称,而其DRAM产品则覆盖低密度和中等密度范围,能够满足不同客户的性能和成本需求。
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深圳凌创辉电子有限公司是艾思科代理商,专业供应IS43DR81280C-25DBL等记忆 产品。如您需要IS43DR81280C-25DBL的datasheet数据手册、规格参数详情或替代型号信息,欢迎联系我们获取技术支持。
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