IS66WVH8M8ALL-166B1LI 艾思科记忆
艾思科 IS66WVH8M8ALL-166B1LI 记忆
IS66WVH8M8ALL-166B1LI是艾思科旗下的记忆 产品，深圳凌创辉电子有限公司提供IS66WVH8M8ALL-166B1LI现货库存与价格报价查询。我们可为您提供IS66WVH8M8ALL-166B1LI datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐，原装正品保障，支持批量采购与在线询价，发货速度快。
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规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Volatile |
| Memory Format | PSRAM |
| Technology | PSRAM (Pseudo SRAM) |
| Memory Size | 64Mbit |
| Memory Organization | 8M x 8 |
| Memory Interface | Parallel |
| Clock Frequency | 166 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 36ns |
| Access Time | 36 ns |
| Voltage - Supply | 1.7V ~ 1.95V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 24-TBGA |
| Supplier Device Package | 24-TFBGA (6x8) |
IS66WVH8M8ALL-166B1LI 艾思科记忆 - 规格参数与选型指南
IS66WVH8M8ALL-166B1LI 是由 艾思科 制造的 记忆 类电子元器件。IC PSRAM 64MBIT PAR 24TFBGA。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Volatile、Memory Format: PSRAM、Technology: PSRAM (Pseudo SRAM)、Memory Size: 64Mbit。
IS66WVH8M8ALL-166B1LI 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization（8M x 8）、Memory Interface（Parallel）、Clock Frequency（166 MHz）、Write Cycle Time - Word, Page（36ns）、Access Time（36 ns） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 艾思科：Integrated Silicon Solution, Inc. (ISSI)，中文名“艾思科”，是一家在集成电路设计、开发和市场营销领域处于领先地位的科技企业。自成立以来，艾思科始终专注于为高速增长的关键市场提供高性能的**电子元器件**。其主要产品线围绕两大核心领域：**IC芯片**领域的SRAM（静态随机存取存储器）和DRAM（动态随机存取存储器）。艾思科的SRAM产品以高速度和低功耗著称，而其DRAM产品则覆盖低密度和中等密度范围，能够满足不同客户的性能和成本需求。
IS66WVH8M8ALL-166B1LI 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 艾思科 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供IS66WVH8M8ALL-166B1LI价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 IS66WVH8M8ALL-166B1LI 的最新价格和交期信息。
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