| 参数名称 | 参数值 |
|---|---|
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Memory Type | Non-Volatile |
| Memory Format | FLASH |
| Technology | FLASH - NOR |
| Memory Size | 512Mbit |
| Memory Organization | 64M x 8 |
| Memory Interface | SPI - Quad I/O |
| Clock Frequency | 104 MHz |
| Write Cycle Time - Word, Page | 50µs, 2.4ms |
| Access Time | - |
| Voltage - Supply | 2.7V ~ 3.6V |
| Operating Temperature | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-WDFN Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-WSON (6x8) |
关于 GD25S512MDYIGR
GD25S512MDYIGR 是由 兆易创新 制造的 记忆 类电子元器件。IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 8WSON。该器件的核心参数包括:Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Memory Type: Non-Volatile、Memory Format: FLASH、Technology: FLASH - NOR、Memory Size: 512Mbit。
GD25S512MDYIGR 共有 15 项技术参数,涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Memory Organization(64M x 8)、Memory Interface(SPI - Quad I/O)、Clock Frequency(104 MHz)、Write Cycle Time - Word, Page(50µs, 2.4ms)、Voltage - Supply(2.7V ~ 3.6V) 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书,获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 兆易创新:兆易创新(GigaDevice),一家诞生于2005年硅谷的领先无晶圆厂半导体公司,专注于先进存储技术和集成电路(IC)解决方案的研发与创新。自成立以来,兆易创新始终致力于推动电子元器件行业的发展,并在2016年成功于上海证券交易所上市,标志着其在中国乃至全球半导体市场的重要地位。作为一家深耕电子元件领域的企业,兆易创新提供广泛的高性能Flash存储器以及32位通用微控制器(MCU)产品。在SPI NOR Flash这一细分市场,兆易创新堪称行业先驱,凭借其卓越的技术实力和持续的创新能力,已成为全球领先者之一,每年出货量超过10亿颗,稳居全球前三。
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GD25S512MDYIGR 是由 兆易创新 制造的 记忆 类电子元器件。深圳凌创辉电子有限公司作为专业的电子元器件分销商,提供该产品的原装正品现货,确保品质可靠、来源可追溯。
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新闻资讯
兆易创新 记忆 产品 GD25S512MDYIGR
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