规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Channel Type | Synchronous |
| Number of Drivers | 1 |
| Gate Type | IGBT, N-Channel MOSFET |
| Voltage - Supply | 10V ~ 20V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 1.1V, 1.7V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 290mA, 700mA |
| Input Type | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 650 V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 100ns, 35ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C (TA) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Supplier Device Package | PG-DSO-8-53 |
英飞凌科技 栅极驱动器 产品 2ED2108S06FXUMA1产品描述
2ED2108S06FXUMA1 是由 英飞凌科技 制造的 栅极驱动器 类电子元器件。IC HALF BRIDGE GATE DRIVER 650V。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Driven Configuration: Half-Bridge、Channel Type: Synchronous、Number of Drivers: 1、Gate Type: IGBT, N-Channel MOSFET。
2ED2108S06FXUMA1 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Voltage - Supply（10V ~ 20V）、Logic Voltage - VIL, VIH（1.1V, 1.7V）、Current - Peak Output (Source, Sink)（290mA, 700mA）、Input Type（Non-Inverting）、High Side Voltage - Max (Bootstrap)（650 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 英飞凌科技：**英飞凌科技（Infineon Technologies）：驱动未来电子世界的核心力量**
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