规格参数
| Product Status | Active |
| DigiKey Programmable | Not Verified |
| Driven Configuration | Half-Bridge |
| Channel Type | Independent |
| Number of Drivers | 2 |
| Gate Type | N-Channel MOSFET |
| Voltage - Supply | 7.5V ~ 14.5V |
| Logic Voltage - VIL, VIH | 1.7V, 1.5V |
| Current - Peak Output (Source, Sink) | 3.5A, 4.5A |
| Input Type | Non-Inverting |
| High Side Voltage - Max (Bootstrap) | 100 V |
| Rise / Fall Time (Typ) | 8ns, 6ns |
| Operating Temperature | -40°C ~ 125°C |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package / Case | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Exposed Pad |
| Supplier Device Package | 8-HTSOP-J |
BD2320UEFJ-LAE2 罗姆半导体栅极驱动器 - 规格参数与选型指南
BD2320UEFJ-LAE2 是由 罗姆半导体 制造的 栅极驱动器 类电子元器件。100V VB 3.5A/4.5A PEAK CURRENT H。该器件的核心参数包括：Product Status: Active、DigiKey Programmable: Not Verified、Driven Configuration: Half-Bridge、Channel Type: Independent、Number of Drivers: 2、Gate Type: N-Channel MOSFET。
BD2320UEFJ-LAE2 共有 16 项技术参数，涵盖电气特性、机械特性和环境特性等方面。其他规格还包括 Voltage - Supply（7.5V ~ 14.5V）、Logic Voltage - VIL, VIH（1.7V, 1.5V）、Current - Peak Output (Source, Sink)（3.5A, 4.5A）、Input Type（Non-Inverting）、High Side Voltage - Max (Bootstrap)（100 V） 等。更多详细参数请查阅上方"产品参数"标签页。同时您还可以下载PDF规格书，获取完整的引脚定义、应用电路和性能曲线等资料。
关于 罗姆半导体：罗姆公司成立于1958年，总部位于日本京都。罗姆设计和制造半导体、集成电路及其他电子元件，这些元件广泛应用于不断发展壮大的无线通信、计算机、汽车和消费电子市场。一些最具创新性的设备和装置都采用了罗姆的产品。
BD2320UEFJ-LAE2 现货库存充足，可通过深圳凌创辉电子有限公司立即采购。作为 罗姆半导体 代理商和供应商，我们保证所有元器件均为100%原装正品，来源可靠可追溯。我们提供BD2320UEFJ-LAE2价格报价查询、datasheet数据手册下载、规格参数查阅及替代型号推荐服务，支持批量采购与在线询价。立即申请报价，获取 BD2320UEFJ-LAE2 的最新价格和交期信息。
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